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    2. 产品特点

      高压工艺实现,CS、OC端子耐压可达-20V,可靠性更高;

      提供过充、过放电、充电过流、放电过流、短路保护功能;

      各保护电压精度很高,可达±25mV;

      各保护电压可选范围很宽,各型号间电压进阶可低至5mV;

      内置延迟,多个延迟组合可选,外围电路简单;

      允许/禁止对0V电池充电功能可选;

      休眠/自恢复功能可选;

      芯片内部自动检测负载与充电器,充分保护外围器件;

      极低功耗,消耗电流低至3uA,休眠模式可达100nA以下;


      应用特点

      手机、数码产品

      手持通信设备

      可穿戴设备

      可驱动大功率MOSFET

      常规封装为SOT23-6,可提供更小的DFN-6L封装

      可提供特殊型号的客户定制服务



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